05.10.04

5.10.2004: Meldung: Aixtron AG: Ruhr-Universität Bochum entscheidet sich für Atomic Vapor Deposition

Aixtron: Ruhr-Universität Bochum entscheidet sich für Atomic Vapor Deposition (AVD®)

Aachen / Bochum, 4. Oktober, 2004 - Aixtron AG (FSE: AIX; ISIN DE0005066203), ein führender Anbieter von Epitaxieanlagen für Verbindungs-Halbleiter, gab heute den Verkauf eines Entwicklungsreaktors an die Ruhr-Universität Bochum bekannt, der die Schlüsselkomponenten der Atomic Vapor Deposition (AVD®)-Technologie von Aixtron enthält.

Das System wird für die Entwicklung von neuen Ausgangsstoffen für die Abscheidung von high-k Dielektrika und hochentwickelten Elektrodendünnschichten sowie für die Charakterisierung der physikalischen Eigenschaften solcher Schichten eingesetzt. Das AIX 200FE-System wird in den Reinräumen des Instituts für anorganische Chemie II unter der Leitung von Professor Dr. Roland A. Fischer und Jun. Prof. Dr. Anjana Devi installiert. Seine Gruppe arbeitet gezielt an der Entwicklung neuer metallorganischer Ausgangsstoffe sowie der Erforschung ihrer Eignung für verschiedene Methoden der Gasphasenabscheidung. Die Ruhr-Universität und Aixtron haben einen Laborvertrag für Forschung und Demonstration abgeschlossen, wonach beide Seiten gemeinsam an der Entwicklung metallorganischer Ausgangsstoffe für high-k Dielektrika und Elektrodenmaterialien sowie an der Verwendung dieser Stoffe bei einem AVD®-Dünnschichtabscheidungs-Prozess arbeiten werden.

Die Hauptanwendungen für high-k Dielektrika und hochentwickelten Elektrodenmaterialien sind CMOS-Transistoren, dynamische Speicher (DRAMs) und integrierte Kondensatoren. High-k Materialien dürften Siliziumdioxid als isolierendes Steuer-Dielektrikum ablösen und eine höhere Transistorleistung bei deutlich reduziertem Leckstrom ermöglichen. Gleichzeitig dürften Elektrodenmaterialien Polysilizium als Steuerelektrode im Transistor ersetzen. Dadurch lässt sich die Transistorgröße weiter jenseits der Siliziumstrukturgröße von 65 nm verringern. Praktisch die gleichen High-k und Elektrodenmaterialien werden in künftigen kapazitiven Strukturen für DRAM- und Hochfrequenz-Schaltkreisen verwendet. Mit diesen Materialien können die erforderlichen Kondensatorgrößen in kleineren Dimensionen erstellt werden, was eine größere Dichte der integrierten Schaltkreise ermöglicht und die Massenproduktionskosten deutlich senkt.

Das AIX 200FE-System ist mit Aixtrons neuester Atomic Vapor Deposition Technologie für High-k und Elektrodenschichten auf kleinen Wafern für die Grundlagenforschung und die Prozessentwicklung ausgestattet. Es beinhaltet das präzise gesteuerte TriJet® System zur Injektion von flüssigen Ausgangsstoffen und deren kontaktloser Verdampfung. Das Trijet® System ermöglicht eine simultane gepulste Injektion von bis zu vier verschiedenen metallorganischen Ausgangsstoffen in das System. Es handelt sich um das flexibelste Einbringungssystem für CVD-Ausgangsstoffe auf dem Markt, das zudem die Abscheidung von Mehrkomponentenschichten mit einer in-situ stöchiometrischen Kontrolle durchführen kann. Aixtron setzt die TriJet®-Komponente ebenfalls erfolgreich in seinen Tricent®-Produktionssystemen für die AVD® von High-k, Elektroden- und ferroelektrischen Materialien auf großen Siliziumwafern ein.
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