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7.11.2005: Meldung: Aixtron AG: Aixtron OVPD(R)-Technologie von f?hrendem OLED-Hersteller qualifiziert
Ad-hoc-Meldung nach ?15 WpHG
AIXTRON OVPD(R)-Technologie von f?hrendem OLED-Hersteller RiTdisplay Corp. qualifiziert
-- Technischer Durchbruch für zuk?nftige Massenproduktion von organischen Leuchtdioden (OLEDs) --
Aachen / Hsin-Chu (Taiwan), 7. November 2005 - AIXTRON AG (FSE: AIX, ISIN DE0005066203; NASDAQ: AIXG), ein f?hrender Anbieter von Depositions-Anlagen für die Halbleiter-Industrie, gab heute bekannt, dass RiTdisplay Corporation, der f?hrende Hersteller von OLED-Displays, die Abnahme der ersten AIXTRON Gen2 OVPD(R)-Anlage für die Massenproduktion von OLEDs (organische Leuchtdioden) unterzeichnet hat.
Nach Einsch?tzung des Unternehmens ist die Qualifizierung der AIXTRON Gen2- Produktionsanlage ein technischer Durchbruch für die OVPD(R)-Technologie, da diese m?glicherweise die herk?mmlichen OLED-Herstellungsverfahren wie z. B. Vacuum Thermal Evaporation (VTE) ersetzen wird.
Die Engineering-Teams von RiTdisplay und AIXTRON konnten die OVPD(R)- Technologie gemeinsam für die Produktion von OLED-Bauelementen für Farbdisplay-Anwendungen qualifizieren. Die w?hrend des Beta-Test hergestellten OLED-Bauelemente zeigten bessere Leistungscharakteristika als jene Displays, die mit herk?mmlicher Technologie (VTE) hergestellt wurden.
OVPD(R) basiert auf dem Prinzip des Gasphasentransportes und der patentgesch?tzten Close Coupled Showerhead (CCS)-Technologie von AIXTRON und hat gegen?ber der herk?mmlichen Vacuum Thermal Evaporation (VTE)-Technologie wesentliche Vorteile: die pr?zise Kontrolle von Abscheidungsraten, eine dauerhafte Prozessstabilit?t und reproduzierbarkeit, ein hoher Durchsatz aufgrund hoher Abscheidungsraten, eine hohe Ausbeute aufgrund einer hervorragenden Homogenit?t, niedrige Wartungs- und Betriebskosten aufgrund einer ?u?erst effizienten Materialausnutzung etc. Dar?ber hinaus erm?glicht der Gasphasenprozess die Realisierung weiter entwickelter Bauelementstrukturen wie z.B. Schichten mit Konzentrationsgradienten.
Die OVPD(R)-Technologie wurde exklusiv von Universal Display Corporation (UDC), Ewing, N.J./USA, an AIXTRON zum Bau von Anlagen lizensiert. Sie basiert auf einer Erfindung von Professor Stephen R. Forrest et. al. an der Princeton University, USA, die wiederrum exklusiv an UDC lizenziert wurde. AIXTRON und UDC haben gemeinsam einen OVPD(R)-Prototypen zur OLED-Herstellung entwickelt und qualifiziert.
AIXTRON AG
Kackertstr. 15-17
52072 Aachen
Deutschland
WKN: 506620; ISIN: DE0005066203; Index: TecDAX
Notiert: Geregelter Markt in Frankfurt (Prime Standard); Freiverkehr in Berlin-Bremen, D?sseldorf, Hamburg, Hannover, M?nchen und Stuttgart
AIXTRON OVPD(R)-Technologie von f?hrendem OLED-Hersteller RiTdisplay Corp. qualifiziert
-- Technischer Durchbruch für zuk?nftige Massenproduktion von organischen Leuchtdioden (OLEDs) --
Aachen / Hsin-Chu (Taiwan), 7. November 2005 - AIXTRON AG (FSE: AIX, ISIN DE0005066203; NASDAQ: AIXG), ein f?hrender Anbieter von Depositions-Anlagen für die Halbleiter-Industrie, gab heute bekannt, dass RiTdisplay Corporation, der f?hrende Hersteller von OLED-Displays, die Abnahme der ersten AIXTRON Gen2 OVPD(R)-Anlage für die Massenproduktion von OLEDs (organische Leuchtdioden) unterzeichnet hat.
Nach Einsch?tzung des Unternehmens ist die Qualifizierung der AIXTRON Gen2- Produktionsanlage ein technischer Durchbruch für die OVPD(R)-Technologie, da diese m?glicherweise die herk?mmlichen OLED-Herstellungsverfahren wie z. B. Vacuum Thermal Evaporation (VTE) ersetzen wird.
Die Engineering-Teams von RiTdisplay und AIXTRON konnten die OVPD(R)- Technologie gemeinsam für die Produktion von OLED-Bauelementen für Farbdisplay-Anwendungen qualifizieren. Die w?hrend des Beta-Test hergestellten OLED-Bauelemente zeigten bessere Leistungscharakteristika als jene Displays, die mit herk?mmlicher Technologie (VTE) hergestellt wurden.
OVPD(R) basiert auf dem Prinzip des Gasphasentransportes und der patentgesch?tzten Close Coupled Showerhead (CCS)-Technologie von AIXTRON und hat gegen?ber der herk?mmlichen Vacuum Thermal Evaporation (VTE)-Technologie wesentliche Vorteile: die pr?zise Kontrolle von Abscheidungsraten, eine dauerhafte Prozessstabilit?t und reproduzierbarkeit, ein hoher Durchsatz aufgrund hoher Abscheidungsraten, eine hohe Ausbeute aufgrund einer hervorragenden Homogenit?t, niedrige Wartungs- und Betriebskosten aufgrund einer ?u?erst effizienten Materialausnutzung etc. Dar?ber hinaus erm?glicht der Gasphasenprozess die Realisierung weiter entwickelter Bauelementstrukturen wie z.B. Schichten mit Konzentrationsgradienten.
Die OVPD(R)-Technologie wurde exklusiv von Universal Display Corporation (UDC), Ewing, N.J./USA, an AIXTRON zum Bau von Anlagen lizensiert. Sie basiert auf einer Erfindung von Professor Stephen R. Forrest et. al. an der Princeton University, USA, die wiederrum exklusiv an UDC lizenziert wurde. AIXTRON und UDC haben gemeinsam einen OVPD(R)-Prototypen zur OLED-Herstellung entwickelt und qualifiziert.
AIXTRON AG
Kackertstr. 15-17
52072 Aachen
Deutschland
WKN: 506620; ISIN: DE0005066203; Index: TecDAX
Notiert: Geregelter Markt in Frankfurt (Prime Standard); Freiverkehr in Berlin-Bremen, D?sseldorf, Hamburg, Hannover, M?nchen und Stuttgart